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Year Title Director
Aspectos estructurales, deformación y superficies en relación con la fiabilidad de transistores de alta movilidad electrónica basados en heteroestructuras de AlGaN/GaN.
Muñoz Merino, Elías
Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta.
Calleja Pardo, Enrique
GaAs-based quantum well and quantum dot light-emitting diodes and lasers for 1.3 and 1.55 um emission..
Hierro Cano, Adrián
Crecimiento y caracterización de Nitruro de Indio por epitaxia de haces moleculares para aplicaciones en el infrarrojo cercano.
Sánchez García, Miguel Ángel